SiGe, High-Linearity, 2300MHz to 4000MHz
Upconversion/Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit with tuning elements outlined in Table 1, Downconverter Mode, V CC = 5.0V, f RF = 3000MHz to
4000MHz, LO is low-side injected for a 300MHz IF, P RF = 0dBm, P LO = 0dBm, T C = +25 N C, unless otherwise noted.)
60
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
40
T C = +85°C
50
40
50
40
30
T C = -40°C
T C = +25°C
30
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
30
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
20
20
20
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
-20
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
T C = +85°C
-20
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-40
-50
T C = +25°C
T C = -40°C
-40
-50
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-40
-50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-20
P LO = +3dBm
-20
T C = -40°C
V CC = 4.75V
-30
T C = +25°C
-30
P LO = 0dBm
-30
-40
-50
T C = +85°C
-40
-50
P LO = -3dB     m
-40
-50
V CC = 5.0V
V CC = 5.25V
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
12
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